根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMe Xchange）調查顯示，2017 年第三季 DRAM 產業營收表現又再度創下歷史新高，受惠於傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類 DRAM 產品合約價普遍較前一季再上漲約 5%。從市場面觀察，第三季 DRAM 總營收較上季再成長 16.2%，整體產業仍處於供貨吃緊狀態。
展望下一季，DRAMeXchange 研究協理吳雅婷指出，整體而言，第四季 DRAM 價格平均漲幅將落在 10%。其中，PC-OEM 廠已議定第四季合約價格，就一線大廠訂價來看，均價已正式突破 30 美元，落在 30.5 美元，較上一季平均漲幅約達 7%；從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式記憶體接棒漲價帶動，配合 DRAM 供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的 DRAM 廠決定調升行動式記憶體報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式記憶體在第四季漲幅約有 10%~20%（取決於不同的容量）；而伺服器記憶體拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲 6%~10%。
兩大韓廠第三季合併市占率達 74.5%，美光第四季可望縮小市占差距
綜觀第三季營收表現，三星依然穩坐 DRAM 產業的龍頭，營收來到 88 億美元，較第二季成長 15.2%，再度創下歷史新高；而 SK 海力士營收金額來到 55 億美元，較前一季成長 22.5%，成長動能顯著，兩大韓廠的市占各為 45.8% 與 28.7%，合計已囊括 74. 5% 的市占率。美光集團仍舊維持第三，營收金額為 40 億美元，季增 13.0%，市占 21.0%。由於 SK 海力士本季平均銷售單價高於美光，導致兩者三季的市占差距持續擴張；展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系廠，預計將縮減與第二名的市占差距。
受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，三星第三季營業利益率衝破 60% 大關，來到 62% 歷史新高；SK 海力士亦從第二季度的 54% 再提升至 56%；美光在 17nm 良率逐漸穩定下，營業利益率從 44% 來到 50%，成長最為顯著。展望第四季，受惠於 DRAM 價格持續上漲，各家獲利可望進一步提升。
三星正思索擴產計畫，SK 海力士與美光專注良率與製程轉進
觀察各廠技術與產能布局，三星今年的目標除了專注於 18nm 製程的持續轉進外，近幾季 DRAM 同業的高獲利，亦刺激三星開始思索可能的 DRAM 擴產計畫，一方面因應供給吃緊狀況，另一方面則藉由提高 DRAM 產出量，壓抑 DRAM 價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領先地位，維持與其他 DRAM 大廠 1~2 年以上的技術差距。
反觀 SK 海力士今年目標還是著重於 21nm 的良率提升與該製程占比，18nm 製程產品則預計年底會有小量出貨；至於擴廠計畫，SK 海力士在中國無錫新建的第二座 12 吋廠最快要到 2019 年才會有產能開出；而美光方面，台灣美光記憶體（原瑞晶）目前仍致力於改善 17nm 產品的穩定度，預期到年底良率可達 80%以上，而台灣美光晶圓科技（原華亞科）今年仍以 20nm 製程良率的提升為主，明年將可望有一半產能轉往 17nm 生產。
台系廠商部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長 5.3%，主要因為該公司以利基型產品為主，價格上揚幅度不及國際大廠較完整的產品線。展望未來，由於該公司 20nm 良率繼續提升，將會持續改善成本結構，增加南亞科的獲利空間。力晶科技方面，DRAM 季營收下滑 3.6 %，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分 DRAM 產能；華邦方面營收則成長 8.7%，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。
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