- 2025年DRAM產值年增36% 主因為高價HBM滲透率提升
全球CSP及大企業積極投資GenAI使得DRAM大廠將研發與生產重心轉向 HBM(High Bandwidth Memory)，並在DRAM產業形成HBM與傳統DRAM兩個截然不同的價格走勢，由於HBM3E和DDR5產品共同前段1b奈米製程，因此前大三廠在HBM3E的供應進度將直接影響其對DDR5產品的供應能力。
在前三大廠中，SK海力士技術量產HBM3E進度平順；美光、三星則以 NCF(Non-Conductive Film)技術量產HBM3E，其中三星驗證進度落後且其DRAM 產能最大，因此對DDR5供給量的影響程度最深，這部分是投資人要最留意的，因為這對2025年的DDR5價格影響最大。
- 台DRAM股 2025下半年或有翻轉可能
DRAM景氣預料在1Q25底前尚無轉機可能，相關個股評價已落入歷史低檔，以下我們列入追蹤，另外可留意力成(6239)，其為美光HBM委外訂單、宜鼎(5289)的IPC產業BB值回升基本面利多，中期都是投資人可注意標的。
- 成熟DRAM三關鍵：庫存去化、中國產能、邊緣裝置
庫存去化方面，儘管韓廠1H24已停產DDR3、減少DDR4供應，但在2H24迄今 仍留有不少庫存持續在市場拋售，加上次級市場將報廢的舊規伺服器DDR4重新整理用於PC DRAM，也帶來額外供應來源並擾亂價格秩序，預期這些干擾將持續至2025上半年。
中國長鑫存儲為中國最大DRAM企業，並在消費性DDR4/LPDDR4X成為最大新增供應來源，直接影響前三大廠與南亞科、華邦電等，預期在2025年將躋身全球第四大DRAM廠商。
不過觀察中國DRAM業者市場經營重心放在國產替代，因此終端市場銷售大致為智慧型手機占營收比重約6-70%；國產PC PC DRAM約20-25%；消費性電子約占營收5%。相較之下，非中(Non-China)記憶體業者市場重心皆轉向AI雲端記憶體(即HBM，如前所述)或AI邊緣運算。例如，華邦電(2344)CUBE記憶體解決方案已與逾十家以上客戶合作開發，首款量產產品應用在AI穿戴裝置；南亞科(2408)1B奈米開發之128GB DDR5模組預料可應用在邊緣伺服器。
