第三代半導體具備高頻、高功率、低能耗、抗高壓、抗高溫等優越性能，並且應用層面涵蓋人類生活，例如射頻、功率元件、光電子及國防軍工等，屬於國家戰略物資之一；其中台灣電子設備協會(TEEIA)、國立台灣大學工學院(NTU)、台灣顯示器產業聯合總會(TDUA)共同合作，將於28日於台北南港展覽館舉辦「第三代半導體國際論壇」，邀請了許多國內外重量級講師，分享第三代半導體產業發展現況、市場趨勢解剖及長晶材料的製造與加工探討，將有利第三代半導體族群出現反彈!
受惠國際IDM大廠擴大釋出功率半導體委外代工訂單，加上兩岸氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三類寬能隙（WBG）半導體相關晶圓代工及磊晶訂單大爆發，其中漢磊今年以來晶圓代工產能全線滿載及新合約順利漲價，3月及第一季營收同步創歷史新高，以在手訂單來看，營收可望逐季成長到年底。
漢磊受惠於英飛凌、Microchip等國際IDM廠擴大委外代工，包括車用、工控等晶圓代工訂單暢旺，今年來自功率半導體營收可望較去年成長逾二成，也由於車用晶片缺貨嚴重，IDM廠自有產能已全數調撥支援，並加速認證及增加委外訂單，漢磊在車用相關晶圓代工及磊晶接單強勁，將是推升今年營收成長主要動能。
隨著中國官方全力扶植GaN及SiC應用，漢磊在第三類WBG半導體布局有成，今年接單全線滿載到年底，由於中國電動車的車用充電板及充電樁、太陽能逆變器等開始導入SiC元件，快充及射頻應用積極納入GaN方案，帶動中國當地GaN及SiC設計公司如雨後春筍般成立，漢磊的晶圓代工加磊晶方案獲得青睞，訂單應接不暇且能見度已看到明年。
在電動車及節能減碳長期發展趨勢下，預期GaN及SiC需求將在未來幾年出現數倍成長，漢磊也已設定長期擴充計畫，預計至2024年時，漢磊的GaN及SiC晶圓代工月產能分別拉高至5,000～7,000片規模，將在兩岸第三類WBG半導體生產鏈站穩一席之地，不妨利用投信慘套時進場吃豆腐!
