電動車需求強勁，促使第三代化合物半導體（簡稱第三代半導體）產業前景跟著看俏。目前全球第三代半導體領先廠商就屬於日亞化學與CREE（科銳），其中CREE在10月宣布更名Wolfspeed，並以股票代號「WOLF」在美國那斯達克交易所掛牌，專攻碳化矽（SiC）技術生產。
Wolfspeed（前身為CREE），2018年收購英飛凌射頻功率業務，2019年起擴大SiC（碳化矽）及GaN（氮化鎵）產能，奠定第三代半導體龍頭地位。目前SiC基板全球市占率約六成、SiC晶片市占率45％，用於國防、車用、基地台與儲能。
現在所稱的第三代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，因其耐高溫、高壓及高頻的特性，接連傳出被特斯拉、蘋果等指摽性廠商導入，可使電池充電更穩定，故手機跟電動車未來需求很大，是2000年之後才開始投入市場的新技術。至於過去所稱的第二代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，則是1980年代發展出來的技術。
第三代半導體（包括 SiC 基板）產業鏈依序為基板、磊晶、設計、製造、封裝，不論在材料、IC 設計及製造技術上，仍由國際 IDM 廠主導，代工生存空間小，目前台灣供應商主要集中在上游材料（基板、磊晶）與晶圓代工。
由於電動車市場爆發，帶動具備高頻、高功率、高電壓、高溫特性的第三代半導體材料SiC、GaN需求殷切，還能適用於太陽能及離岸風電設備等，是超越矽極限的功率元件用關鍵材料。台股中第三代半導體純度最高的是已經量產的漢磊及嘉晶，兩家並宣布未來二至三年將投入1.2億至1.5億美元，擴產SiC、GaN，SiC產能均可望成長七倍以上，其中漢磊預計二至三年內要達到營收比重八成的目標，未來產線移轉及建置會開始加速。
漢磊國內唯一兼具SiC及GaN生產能力的廠商，目前擁有一座4/5吋及兩座6吋晶圓廠。目前第三代半導體目前主流尺寸為6吋，價格較8吋及12吋的矽基板高出數倍，因此漢磊受惠最大。
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