漢民集團旗下晶圓代工廠漢磊及其轉投資嘉晶15日召開法人說明會，漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，今年是第三代化合物半導體應用起飛元年，將積極擴產因應強勁需求。
其中，漢磊將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，增加6吋碳化矽（SiC）產能達5～7倍，氮化鎵（GaN）月產能明年倍增至2,000片。嘉晶預計將投入5,000萬美元擴產，將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能計畫提高2～2.5倍。
第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。寬能隙半導體中的「能隙」（Energy gap），用白話的方式說明，代表著「一個能量的差距」，意即讓一個半導體「從絕緣到導電所需的最低能量」。
隨著 5G、電動車時代來臨，科技產品對於高頻、高速運算、高速充電的需求上升，矽與砷化鎵的溫度、頻率、功率已達極限，難以提升電量和速度；一旦操作溫度超過 100 度時，前兩代產品更容易故障，因此無法應用在更嚴苛的環境；再加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的第三代半導體成為時代下的新寵兒。
【第三代半導體族群】
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代號 |
公司 |
相關佈局 |
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2330 |
台積電 |
納微、意法半導體等GaN晶片投片生產 |
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2303 |
聯電 |
入股頎邦目標佈局該領域 |
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3707 |
漢磊 |
將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，增加6吋碳化矽（SiC）產能達5～7倍，氮化鎵（GaN）月產能明年倍增至2000片 |
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3016 |
嘉晶 |
預計將投入5000萬美元擴產，將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能計畫提高2～2.5倍 |
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5483 |
中美晶 |
攜手宏捷科合作佈局矽基氮化鎵 |
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6182 |
合晶 |
評估相關矽晶圓生產 |
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6488 |
環球晶 |
積極跨入SiC晶圓生產並和GTAT簽長約 |
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8028 |
昇陽半導體 |
GaN、SiC晶圓再生與薄化 |
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3105 |
穩懋 |
碳化矽基氮化鎵晶圓代工 |
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3711 |
日月光投控 |
配合相關封測服務 |
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(109)金管投顧新字第022號 亞洲投顧 服務專線:0800-615-588
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