宏捷科(8086) 研究報告
公司基本面 :
[ 全球前三大砷化鎵晶圓代工廠 ]
宏捷科(8086)以製造砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT)與假型高速電子遷移率電晶體 (pHEMT) 為主之晶片代工廠。2017年產品線營收比重為砷化鎵晶片佔比為97%、其他佔3%。HBT是手機PA的主流產品，因HBT具有電池使用時間長、訊號轉換品質佳、元件面積小、製程良率高等特性，較MESFET與pHEMT更適合無線通訊使用。
股價題材面 :
[ 物聯網新應用，砷化鎵晶片運用量持續提高 ]
隨著VCSEL(面射型雷射）及5G的新運用增加，砷化鎵晶片運用量持續提高，加上物聯網新應用逐步成熟，法人對產業明年展望並不看淡，不過最大變數仍需觀察美中貿易戰的衝擊，包括華為事件的發展。
[ 非蘋手機VCSEL市場占有率可望提升 ]
宏捷科日前擴增第二廠區投入VCSEL製程，此舉將是為搶攻非蘋手機所佈局，此外，AMS日前與華立捷拆伙，預估與宏捷科合作更為緊密，有利於公司未來擴展非蘋手機VCSEL市場占有率。
財報營收面 :
累計前11月營收17.27億元，年增率13.54%，成長率居冠。
12/12日分析 : 宏捷科股價目前處於低位階且近期突破下降通道，三重底型態顯現。這一波回檔經過四天量能緊縮之後，今天以大紅k突破五日均量兩倍上攻，第二次試圖收復季線，挑戰第一大量套牢區40-42元，之後上看第二壓力套牢區47-48元之前方跳空缺口。惟季線斜率仍為負值，需要再經過10個交易日，季線才有辦法向下扣抵，進而拉平斜率，同時周線及月線都還在季線下方，股價若要正式拉抬，還需要使均線全部呈現多頭排列。因此在盤面規劃
上，股價最有可能的走勢為碰觸到48元之後，進入費波數列8-13天的整理，使均線糾結之後，才有機會正式進入主升段。
12/28股價大漲9%，接下來遇到第二壓力套牢區48元，這個地方若沒有成功帶量站上量大套牢區，那麼格局即將進入8-13天的費波數列整理，往後若股價有再度突破，才稱為正式進入主升段。意即拉回不破今日低點都是好買點，即便停損，損失率也不會超過10%，符合以小搏大的操作策略。
